NE3503M04-T2-A Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics CorporationDescription: RF MOSFET HFET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 12dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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Technische Details NE3503M04-T2-A Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET HFET 2V M04, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 12GHz, Gain: 12dB, Technology: HFET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: M04, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
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| NE3503M04-T2-A |
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NE3503M04-T2-A Produktcode: 191033 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| NE3503M04-T2-A | Hersteller : Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
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NE3503M04-T2-A | Hersteller : CEL |
RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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