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Technische Details NGTB60N65FL2WG onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 117ns/265ns, Switching Energy: 1.59mJ (on), 660µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 318 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 595 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| NGTB60N65FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
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| NGTB60N65FL2WG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG - IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 100A, TO-247-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NGTB60N65FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 595000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NGTB60N65FL2WG | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 96 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 117ns/265ns Switching Energy: 1.59mJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 318 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 595 W |
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