NP50P04SDG-E1-AY

NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation


Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
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Technische Details NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 84W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 84W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Hersteller : Renesas Electronics Corporation Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
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NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Hersteller : Renesas Electronics r07ds1520ej0100_np50p04slg-3075768.pdf MOSFET Automotive MOS
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2500+ 2.53 EUR
5000+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Hersteller : RENESAS 3703272.pdf Description: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Hersteller : RENESAS 3703272.pdf Description: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NP50P04SDG-E1-AY Hersteller : Renesas TO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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