NSS40201LT1G ON Semiconductor
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Technische Details NSS40201LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NSS40201LT1G nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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NSS40201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 2A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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NSS40201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 2A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Application: automotive industry |
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NSS40201LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS40201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW |
auf Bestellung 67912 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A |
auf Bestellung 135496 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NSS40201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS40201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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