NSS40500UW3T2G ON Semiconductor
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Technische Details NSS40500UW3T2G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 875 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NSS40500UW3T2G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R |
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NSS40500UW3T2G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR |
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NSS40500UW3T2G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW |
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NSS40500UW3T2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R |
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| NSS40500UW3T2G |
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NSS40500UW3T2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R |
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NSS40500UW3T2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSS40500UW3T2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R |
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NSS40500UW3T2G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW |
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