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NTE123AP

NTE123AP NTE Electronics

nte123ap.pdf Hersteller: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...300
Mounting: THT
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Technische Details NTE123AP NTE Electronics

Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO92, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-92, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.

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NTE123AP NTE123AP Hersteller : NTE Electronics nte123ap.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...300
Mounting: THT
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NTE123AP NTE123AP Hersteller : NTE Electronics, Inc nte123ap.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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NTE123AP NTE123AP Hersteller : NTE Electronics, Inc. nte123ap.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92
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