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NTE159M

NTE159M NTE Electronics

nte123a.pdf Hersteller: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: TO18
Current gain: 50...300
Mounting: THT
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Technische Details NTE159M NTE Electronics

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18, Packaging: Bag, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-18, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.8 W.

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NTE159M NTE159M Hersteller : NTE Electronics nte123a.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: TO18
Current gain: 50...300
Mounting: THT
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NTE159M NTE159M Hersteller : NTE Electronics, Inc nte123a.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bag
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
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NTE159M NTE159M Hersteller : NTE Electronics, Inc. nte123a.pdf Silicon Complementary RF Transistors General Purpose
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