NTE2374
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Technische Details NTE2374
Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220, Manufacturer: NTE Electronics, Inc, Packaging: Bag, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 31A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220, Package / Case: TO-220-3.
Preis NTE2374 ab 3.98 EUR bis 3.98 EUR
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NTE2374 Hersteller: NTE Electronics Material: NTE2374 THT N channel transistors 
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 Hersteller: NTE Electronics, Inc Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220 Manufacturer: NTE Electronics, Inc Packaging: Bag Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 31A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220 Package / Case: TO-220-3
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