NTE2383 NTE Electronics, Inc.
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Technische Details NTE2383 NTE Electronics, Inc.
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; Idm: -42A; 75W; TO220, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -7.5A, Pulsed drain current: -42A, Power dissipation: 75W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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NTE2383 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; Idm: -42A; 75W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -42A Power dissipation: 75W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTE2383 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; Idm: -42A; 75W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -42A Power dissipation: 75W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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