NTE2383 NTE Electronics, Inc.


Hersteller: NTE Electronics, Inc.
Trans MOSFET P-CH 100V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Technische Details NTE2383 NTE Electronics, Inc.

Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; Idm: -42A; 75W; TO220, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -7.5A, Pulsed drain current: -42A, Power dissipation: 75W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTE2383 NTE2383 Hersteller : NTE Electronics nte2383.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; Idm: -42A; 75W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -42A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTE2383 NTE2383 Hersteller : NTE Electronics nte2383.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; Idm: -42A; 75W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -42A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
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