NTE2387 NTE Electronics, Inc.
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Technische Details NTE2387 NTE Electronics, Inc.
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 2.6A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 125W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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NTE2387 | Hersteller : NTE Electronics, Inc. |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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NTE2387 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTE2387 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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