NTE2399 NTE Electronics, Inc
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Technische Details NTE2399 NTE Electronics, Inc
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 2A, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 125W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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NTE2399 | Hersteller : NTE Electronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTE2399 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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