NTE2916 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
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| 4+ | 17.88 EUR |
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Technische Details NTE2916 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 35A, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 300W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Preis ohne MwSt | ||||
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NTE2916 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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