NTE2970 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.4A; Idm: 88A; 278W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.4A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 278W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 4+ | 21.49 EUR |
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Technische Details NTE2970 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.4A; Idm: 88A; 278W; TO3P, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 13.4A, Pulsed drain current: 88A, Power dissipation: 278W, Case: TO3P, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.25Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Preis ohne MwSt | ||||||
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NTE2970 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.4A; Idm: 88A; 278W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13.4A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 278W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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