NTE2998 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -8A; 125W; TO3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -8A
Power dissipation: 125W
Case: TO3
Gate-source voltage: ±14V
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details NTE2998 NTE Electronics
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -8A; 125W; TO3, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -200V, Drain current: -8A, Power dissipation: 125W, Case: TO3, Gate-source voltage: ±14V, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| NTE2998 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -8A; 125W; TO3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -8A Power dissipation: 125W Case: TO3 Gate-source voltage: ±14V Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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