NTE4935

NTE4935 NTE Electronics, Inc


nte4903_99.pdf Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC
Packaging: Bag
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 40A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Part Status: Active
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Technische Details NTE4935 NTE Electronics, Inc

Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; Ø9,52x5,21mm; 1.5kW, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 23.1V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 40A, Breakdown voltage: 27.05V, Leakage current: 5µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Case: Ø9,52x5,21mm, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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NTE4935 Hersteller : NTE Electronics, Inc. nte4903_99.pdf TVS Diode Single Bi-Dir 23.1V 1.5KW 2-Pin
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NTE4935 Hersteller : NTE Electronics nte4903_99.pdf Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; Ø9,52x5,21mm; 1.5kW
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 23.1V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 40A
Breakdown voltage: 27.05V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: Ø9,52x5,21mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTE4935 Hersteller : NTE Electronics nte4903_99.pdf Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; Ø9,52x5,21mm; 1.5kW
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 23.1V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 40A
Breakdown voltage: 27.05V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: Ø9,52x5,21mm
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