NTE55 NTE Electronics, Inc
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Technische Details NTE55 NTE Electronics, Inc
Description: NTE ELECTRONICS - NTE55 - BIPOLAR TRANSISTOR, Transistormontage: Through Hole, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Verlustleistung Pd: 50, Übergangsfrequenz ft: 30, Bauform - Transistor: TO-220, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
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Preis ohne MwSt |
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NTE55 | Hersteller : NTE ELECTRONICS |
 Description: NTE ELECTRONICS - NTE55 - BIPOLAR TRANSISTORTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 Verlustleistung Pd: 50 Übergangsfrequenz ft: 30 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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NTE55 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220 Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTE55 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220 Mounting: THT |
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