NTE67 NTE Electronics, Inc
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Technische Details NTE67 NTE Electronics, Inc
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 75W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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NTE67 | Hersteller : NTE Electronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 75W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTE67 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 75W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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