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Technische Details NX1029X,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - NX1029X,115 - Dual-MOSFET, Trench, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NX1029X,115 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.99 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NX1029X,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.33A/0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
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NX1029X,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.33A/0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
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NX1029X,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.33A/0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX1029X,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.33A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA, 170mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
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NX1029X,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.33A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA, 170mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 7090 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NX1029X,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET NRND for Automotive Applications NX1029X/SOT666/SOT6 |
auf Bestellung 16631 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NX1029X,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX1029X,115 - Dual-MOSFET, Trench, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 66260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX1029X,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX1029X,115 - Dual-MOSFET, Trench, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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NX1029X,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.33A/0.17A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX1029X,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.33A/0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
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