NX138AKMYL

NX138AKMYL Nexperia USA Inc.


NX138AKM.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NX138AKM/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NX138AKMYL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX138AKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 340mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote NX138AKMYL nach Preis ab 0.099 EUR bis 0.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NX138AKMYL NX138AKMYL Hersteller : Nexperia USA Inc. NX138AKM.pdf Description: NX138AKM/SOT883/XQFN3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V
auf Bestellung 34839 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.65 EUR
60+ 0.44 EUR
122+ 0.21 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
2000+ 0.11 EUR
5000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 40
NX138AKMYL NX138AKMYL Hersteller : Nexperia NX138AKM-2393442.pdf MOSFET NX138AKM/SOT883/XQFN3
auf Bestellung 19332 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
69+0.75 EUR
85+ 0.62 EUR
159+ 0.33 EUR
500+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 69
NX138AKMYL NX138AKMYL Hersteller : NEXPERIA 3257259.pdf Description: NEXPERIA - NX138AKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NX138AKMYL NX138AKMYL Hersteller : NEXPERIA 3257259.pdf Description: NEXPERIA - NX138AKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)