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Technische Details NX3008PBKS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - NX3008PBKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8, Verlustleistung Pd: 280, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900, Verlustleistung, p-Kanal: 280, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote NX3008PBKS,115 nach Preis ab 0.092 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NX3008PBKS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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NX3008PBKS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW Mounting: SMD Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 80mW Gate charge: 0.72nC Polarisation: unipolar Drain current: -0.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX3008PBKS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW Mounting: SMD Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 80mW Gate charge: 0.72nC Polarisation: unipolar Drain current: -0.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω |
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NX3008PBKS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
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NX3008PBKS,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET NX3008PBKS/SOT363/SC-88 |
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NX3008PBKS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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NX3008PBKS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008PBKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.8 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8 Verlustleistung Pd: 280 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 Verlustleistung, p-Kanal: 280 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8 productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280 Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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NX3008PBKS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
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NX3008PBKS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
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