NX5008NBKMYL Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
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Technische Details NX5008NBKMYL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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NX5008NBKMYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V |
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NX5008NBKMYL | Hersteller : Nexperia |
MOSFET NX5008NBKM/SOT883/XQFN3 |
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NX5008NBKMYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NX5008NBKMYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX5008NBKMYL | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NX5008NBKMYL | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R |
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| NX5008NBKMYL | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R |
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