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NX5008NBKMYL

NX5008NBKMYL Nexperia USA Inc.


NX5008NBKM.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
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Technische Details NX5008NBKMYL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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NX5008NBKMYL NX5008NBKMYL Hersteller : Nexperia USA Inc. NX5008NBKM.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
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1000+ 0.17 EUR
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NX5008NBKMYL NX5008NBKMYL Hersteller : Nexperia NX5008NBKM-1919470.pdf MOSFET NX5008NBKM/SOT883/XQFN3
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209+ 0.25 EUR
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2500+ 0.13 EUR
10000+ 0.11 EUR
20000+ 0.1 EUR
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NX5008NBKMYL NX5008NBKMYL Hersteller : NEXPERIA 3163642.pdf Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NX5008NBKMYL NX5008NBKMYL Hersteller : NEXPERIA 3163642.pdf Description: NEXPERIA - NX5008NBKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 350 mA, 2 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NX5008NBKMYL NX5008NBKMYL Hersteller : Nexperia nx5008nbkm.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R
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NX5008NBKMYL NX5008NBKMYL Hersteller : Nexperia nx5008nbkm.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.35A T/R
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