Produkte > NEXPERIA USA INC. > NX7002BKXBZ
NX7002BKXBZ

NX7002BKXBZ Nexperia USA Inc.


NX7002BKXB.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5000+0.19 EUR
10000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NX7002BKXBZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 285mW, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 285mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote NX7002BKXBZ nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NX7002BKXBZ NX7002BKXBZ Hersteller : Nexperia USA Inc. NX7002BKXB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
auf Bestellung 22400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+1.09 EUR
35+ 0.76 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
2000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NX7002BKXBZ NX7002BKXBZ Hersteller : Nexperia NX7002BKXB-1368020.pdf MOSFET NX7002BKXB/SOT1216/DFN1010B-6
auf Bestellung 52413 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+1.11 EUR
85+ 0.61 EUR
176+ 0.3 EUR
1000+ 0.2 EUR
5000+ 0.18 EUR
10000+ 0.16 EUR
25000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NX7002BKXBZ NX7002BKXBZ Hersteller : NEXPERIA NX7002BKXB.pdf Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 285mW
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NX7002BKXBZ NX7002BKXBZ Hersteller : NEXPERIA NX7002BKXB.pdf Description: NEXPERIA - NX7002BKXBZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 285mW
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NX7002BKXBZ NX7002BKXBZ Hersteller : NEXPERIA 929728621679316nx7002bkxb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 6-Pin DFN-B EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar