NXV65UPR Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.19 EUR |
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| 30000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details NXV65UPR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 340mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NXV65UPR nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NXV65UPR | Hersteller : Nexperia |
MOSFET NXV65UP/SOT23/TO-236AB |
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NXV65UPR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: NXV65UP/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 10 V |
auf Bestellung 50970 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NXV65UPR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NXV65UPR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NXV65UPR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 340mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXV65UPR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NXV65UPR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NXV65UPR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -8.4A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -8.4A Power dissipation: 0.34W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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NXV65UPR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -8.4A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -8.4A Power dissipation: 0.34W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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