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NZT660A

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nzt660a-d.pdf
Produktcode: 25982
Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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NZT660A NZT660A Hersteller : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 444 Stücke:
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NZT660A NZT660A Hersteller : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NZT660A NZT660A Hersteller : onsemi nzt660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 8000 Stücke:
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NZT660A NZT660A Hersteller : onsemi / Fairchild NZT660A_D-2319592.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
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NZT660A NZT660A Hersteller : onsemi nzt660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
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1000+ 0.56 EUR
2000+ 0.5 EUR
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NZT660A NZT660A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 101 Stücke:
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NZT660A NZT660A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 101 Stücke:
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NZT660A Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Транзистор PNP з низьким насищенням; Ptot, Вт = 2; Uceo, В = -60; Ic = -3 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 75; hFE = 250...550 @ -500 mA, -2 V; Icutoff-max = -100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -0,5 @ -3 A, -300 mV; Тексп, °С = -55...+150; SOT-223-4
auf Bestellung 3359 Stücke:
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20+0.34 EUR
22+ 0.3 EUR
100+ 0.26 EUR
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NZT660A Hersteller : On Semiconductor/Fairchild nzt660a-d.pdf PNP 60V 3A SOT-223
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NZT660A NZT660A Hersteller : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NZT660A NZT660A Hersteller : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NZT660A NZT660A Hersteller : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BC847C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1253		 BC847C.pdf
BC847C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 800
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 6042 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.018 EUR
1000+ 0.012 EUR
SK36 (SS36)
Produktcode: 12874		 sk36.pdf
SK36 (SS36)
Hersteller: DC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMC (DO-214AB)
Vrrm(V): 60
If(A): 3
VF@IF: 0,75
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
auf Bestellung 2052 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.13 EUR
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Relais IM06GR Tyco
Produktcode: 27525		 IM relay Tyco.pdf
Relais IM06GR Tyco
Hersteller: Tyco Electronics
Relais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Kontaktart: 2C; U-Spule: 5V; I-komm: 5А
Abmessungen: 10x6x5,65mm
Strom max: 5 A
Produkt ist nicht verfügbar
ADXL326BCPZ
Produktcode: 187725		 ADXL326.pdf
IC > IC andere
erwartet: 21 Stück
C8051F860-C-GSR
Produktcode: 191729		 C8051F85x-86x.pdf
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: SOIC-16
Kurzbeschreibung: 8-bit Microcontrollers - MCU 8KB/512B RAM, ADC
Strom, V: 2,2...3,6 V
Betriebstemperatur, °С: 8051
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 25 MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
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