P4KE36CA R0 Taiwan Semiconductor
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Technische Details P4KE36CA R0 Taiwan Semiconductor
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 36V; 8A; bidirectional; ±5%; DO41; 400W, Type of diode: TVS, Max. off-state voltage: 29.1V, Breakdown voltage: 36V, Max. forward impulse current: 8A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: DO41, Mounting: THT, Leakage current: 1µA, Peak pulse power dissipation: 0.4kW, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote P4KE36CA R0
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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P4KE36CA R0 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 TVS Diode Single Bi-Dir 30.8V 400W 2-Pin DO-41 T/R |
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P4KE36CAR0 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
TVS Diode Single Bi-Dir 30.8V 400W 2-Pin DO-41 T/R |
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P4KE36CA R0 | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 36V; 8A; bidirectional; ±5%; DO41; 400W Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 29.1V Breakdown voltage: 36V Max. forward impulse current: 8A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO41 Mounting: THT Leakage current: 1µA Peak pulse power dissipation: 0.4kW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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P4KE36CA R0 | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 36V; 8A; bidirectional; ±5%; DO41; 400W Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 29.1V Breakdown voltage: 36V Max. forward impulse current: 8A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO41 Mounting: THT Leakage current: 1µA Peak pulse power dissipation: 0.4kW |
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