P6SMB33A M4G

P6SMB33A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR


P6SMB_SER.pdf Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Technische Details P6SMB33A M4G TAIWAN SEMICONDUCTOR

Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 28.2V, Breakdown voltage: 33V, Max. forward impulse current: 13.8A, Semiconductor structure: unidirectional, Tolerance: ±5%, Case: SMB, Mounting: SMD, Leakage current: 1µA, Kind of package: reel; tape, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.

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P6SMB33A M4G P6SMB33A M4G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB_SER.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.8A; unidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
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