PBHV3160ZX Nexperia
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Technische Details PBHV3160ZX Nexperia
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 38MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote PBHV3160ZX nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PBHV3160ZX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 600V 0.1A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 6mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 38MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q100 |
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PBHV3160ZX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 600V 0.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 6mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 38MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q100 |
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PBHV3160ZX | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBHV3160Z/SOT223/SC-73 |
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PBHV3160ZX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 38MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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PBHV3160ZX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 38MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBHV3160ZX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 38MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| PBHV3160ZX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 38MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBHV3160ZX | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 600V 0.1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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PBHV3160ZX | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 600V 0.1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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PBHV3160ZX | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 600V 0.1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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PBHV3160ZX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 600V 0.1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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