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PBHV9115T,215 Nexperia

Name: PBHV9115T,215
Brand: Nexperia
SKU: 4688021-5
Price: 0.14 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details PBHV9115T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 115MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 150V 1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW

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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PBHV9115T,215

Hersteller : NEXPERIA

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 115MHz

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275+	0.26 EUR
380+	0.19 EUR
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PBHV9115T,215

Hersteller : NEXPERIA

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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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321+	0.49 EUR
472+	0.32 EUR
477+	0.31 EUR
654+	0.22 EUR
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3000+	0.14 EUR
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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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301+	0.53 EUR
447+	0.34 EUR
605+	0.24 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR

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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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259+	0.61 EUR
318+	0.48 EUR
321+	0.46 EUR
472+	0.3 EUR
477+	0.28 EUR
654+	0.2 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR

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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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245+	0.65 EUR
301+	0.51 EUR
447+	0.33 EUR
605+	0.23 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.13 EUR

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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia

Bipolar Transistors - BJT PBHV9115T/SOT23/TO-236AB

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52+	1.02 EUR
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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 150V 1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW

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25+	1.07 EUR
32+	0.83 EUR
100+	0.5 EUR
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PBHV9115T,215

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0002880907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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PBHV9115T,215

Hersteller : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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PBHV9115T,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PBHV9115T,215

Hersteller : NEXPERIA

Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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