PBRN113ZT,215 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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Technische Details PBRN113ZT,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBRN113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Dauer-Kollektorstrom Ic: 600mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN, Bauform - Transistor: TO-236AB, Bauform - HF-Transistor: TO-236AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PBRN113Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PBRN113ZT,215 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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PBRN113ZT,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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PBRN113ZT,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PBRN113ZT/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 12599 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PBRN113ZT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRN113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Dauer-Kollektorstrom Ic: 600mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: TO-236AB Bauform - HF-Transistor: TO-236AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRN113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBRN113ZT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 40V; 0.7A; 370mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 0.37W Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Current gain: 300...750 Base-emitter resistor: 10kΩ Collector current: 0.7A Collector-emitter voltage: 40V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBRN113ZT,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 40V; 0.7A; 370mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 0.37W Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Current gain: 300...750 Base-emitter resistor: 10kΩ Collector current: 0.7A Collector-emitter voltage: 40V |
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