PBRP113ET,215 Nexperia
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Technische Details PBRP113ET,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 570mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PBRP113E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V.
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PBRP113ET,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 40V 600mA 370mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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PBRP113ET,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
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PBRP113ET,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
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PBRP113ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PBRP113ET/SOT23/TO-236AB |
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PBRP113ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 570mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRP113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V |
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PBRP113ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBRP113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 570mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PBRP113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V |
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PBRP113ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 40V 800mA 570mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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PBRP113ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 40V; 0.6A; SOT23,TO236AB; R1: 1.3kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...210 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1.3kΩ Base-emitter resistor: 1.1kΩ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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PBRP113ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 40V; 0.6A; SOT23,TO236AB; R1: 1.3kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...210 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1.3kΩ Base-emitter resistor: 1.1kΩ |
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