PBSS306PZ,135 Nexperia
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Technische Details PBSS306PZ,135 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS306PZ,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4.1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4.1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote PBSS306PZ,135 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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PBSS306PZ,135 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 100V 4.1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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PBSS306PZ,135 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS306PZ/SOT223/SC-73 |
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PBSS306PZ,135 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 4.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 410mA, 4.1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q100 |
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PBSS306PZ,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS306PZ,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4.1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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PBSS306PZ,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS306PZ,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4.1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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PBSS306PZ,135 Produktcode: 178645 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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PBSS306PZ,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 100V 4.1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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PBSS306PZ,135 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 4.1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS306PZ,135 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 4.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 410mA, 4.1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q100 |
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