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PBSS3515M,315

PBSS3515M,315 Nexperia


182963894413201pbss3515m.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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Technische Details PBSS3515M,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Hersteller : Nexperia 182963894413201pbss3515m.pdf Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS3515M.pdf Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 430 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 10000
PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS3515M.pdf Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 430 mW
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5000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Hersteller : NEXPERIA PIRSS02109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Hersteller : NEXPERIA PIRSS02109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
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Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Hersteller : Nexperia PBSS3515M-2938272.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS3515M/SOT883/XQFN3
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