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PBSS4160DPN,115

PBSS4160DPN,115 Nexperia

183674977129412pbss4160dpn.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details PBSS4160DPN,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4160DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 700 mW, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Verlustleistung, PNP: 700mW, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOT-457, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE, Dauer-Kollektorstrom: 1A, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, rohsCompliant: YES, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Verlustleistung, NPN: 700mW, Qualifikation: -, Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, Transistormontage: Oberflächenmontage, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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PBSS4160DPN,115 PBSS4160DPN,115 Hersteller : Nexperia 183674977129412pbss4160dpn.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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PBSS4160DPN,115 PBSS4160DPN,115 Hersteller : NEXPERIA PBSS4160DPN.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1/-0.9A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.56W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Frequency: 220MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1/-0.9A
Type of transistor: NPN / PNP
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323+ 0.22 EUR
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PBSS4160DPN,115 PBSS4160DPN,115 Hersteller : NEXPERIA PBSS4160DPN.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1/-0.9A
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.56W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Frequency: 220MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1/-0.9A
Type of transistor: NPN / PNP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PBSS4160DPN,115 PBSS4160DPN,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4160DPN.pdf Description: TRAN NPN/PNP 60V 870/770MA 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 870mA, 770mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz, 185MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
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3000+0.26 EUR
6000+ 0.25 EUR
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PBSS4160DPN,115 PBSS4160DPN,115 Hersteller : Nexperia 183674977129412pbss4160dpn.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A/0.9A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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1050+ 0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 312
PBSS4160DPN,115 PBSS4160DPN,115 Hersteller : Nexperia PBSS4160DPN-1543920.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS4160DPN/SOT457/SC-74
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9000+ 0.22 EUR
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PBSS4160DPN,115 PBSS4160DPN,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4160DPN.pdf Description: TRAN NPN/PNP 60V 870/770MA 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 870mA, 770mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz, 185MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
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PBSS4160DPN,115 PBSS4160DPN,115 Hersteller : NEXPERIA 687841.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4160DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 700 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 496 Stücke:
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PBSS4160DPN,115 PBSS4160DPN,115 Hersteller : NEXPERIA 687841.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4160DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 700 mW
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 700mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-457
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
Dauer-Kollektorstrom: 1A
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
rohsCompliant: YES
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Verlustleistung, NPN: 700mW
Qualifikation: -
Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
Transistormontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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