PBSS4160TVL Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
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Technische Details PBSS4160TVL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS4160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 900mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PBSS4160TVL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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PBSS4160TVL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 900mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4160TVL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 900mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS4160TVL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4160TVL - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4160TVL | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS4160TVL | Hersteller : NEXPERIA |
NPN Low VCEsat Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS4160TVL | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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PBSS4160TVL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
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PBSS4160TVL | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS4160T/SOT23/TO-236AB |
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