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PBSS4220V,115

PBSS4220V,115 Nexperia


PBSS4220V-1320212.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
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Technische Details PBSS4220V,115 Nexperia

Description: TRANS NPN 20V 2A SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 210MHz, Supplier Device Package: SOT-666, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 900 mW.

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PBSS4220V,115 PBSS4220V,115 Hersteller : NEXPERIA 183320711185730pbss4220v.pdf Trans GP BJT NPN 20V 2A 900mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
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PBSS4220V,115 PBSS4220V,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4220V.pdf Description: TRANS NPN 20V 2A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
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