PBSS5160TVL NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 900mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
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Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details PBSS5160TVL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 900mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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PBSS5160TVL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 270mW euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 900mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5160TVL | Hersteller : Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS5160TVL | Hersteller : NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW Automotive 3-Pin SOT-23 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS5160TVL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PBSS5160T/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V |
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PBSS5160TVL | Hersteller : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5160T/SOT23/TO-236AB |
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