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PBSS5240T,215

PBSS5240T,215 Nexperia

pbss5240t.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBSS5240T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5240T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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PBSS5240T,215 PBSS5240T,215 Hersteller : Nexperia pbss5240t.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS5240T,215 PBSS5240T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5240T.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 480 mW
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6000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
PBSS5240T,215 PBSS5240T,215 Hersteller : Nexperia PBSS5240T-2938142.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5240T/SOT23/TO-236AB
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162+ 0.32 EUR
1000+ 0.26 EUR
3000+ 0.21 EUR
9000+ 0.19 EUR
24000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 80
PBSS5240T,215 PBSS5240T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5240T.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 480 mW
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1000+ 0.26 EUR
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PBSS5240T,215 PBSS5240T,215 Hersteller : NEXPERIA 3205172.pdf Description: NEXPERIA - PBSS5240T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PBSS5240T,215 Hersteller : NXP Semiconductors PBSS5240T.pdf
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PBSS5240T,215 PBSS5240T,215 Hersteller : NEXPERIA 1513599802921651pbss5240t.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS5240T,215 PBSS5240T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5240T-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 2A; 380mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Power dissipation: 0.38W
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 2A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PBSS5240T,215 PBSS5240T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5240T-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 2A; 380mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Power dissipation: 0.38W
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 2A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
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