PBSS5250T,215 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 50V 2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 480 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 23+ | 1.14 EUR |
| 32+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.41 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.28 EUR |
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Technische Details PBSS5250T,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote PBSS5250T,215 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PBSS5250T,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5250T/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 8018 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PBSS5250T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5250T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 8445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5250T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS5250T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 130...200 Collector current: 2A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS5250T,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS5250T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 130...200 Collector current: 2A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar |
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