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PBSS5350T,215

PBSS5350T,215 Nexperia

pbss5350t.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBSS5350T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia pbss5350t.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5350T.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 540 mW
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5350T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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215+0.33 EUR
394+ 0.18 EUR
435+ 0.16 EUR
564+ 0.13 EUR
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5350T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia pbss5350t.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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709+ 0.21 EUR
716+ 0.2 EUR
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia pbss5350t.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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709+ 0.2 EUR
716+ 0.19 EUR
724+ 0.18 EUR
1205+ 0.1 EUR
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia PBSS5350T-1318948.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5350T/SOT23/TO-236AB
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3000+ 0.22 EUR
9000+ 0.2 EUR
24000+ 0.19 EUR
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5350T.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 540 mW
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32+ 0.81 EUR
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002908853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10100 Stücke:
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002908853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Produktcode: 150218 		PBSS5350T.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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