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Technische Details PBSS5560PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-1061, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote PBSS5560PA,115 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PBSS5560PA,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
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PBSS5560PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W |
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PBSS5560PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5560PA/SOT1061/HUSON3 |
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PBSS5560PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W |
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PBSS5560PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
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PBSS5560PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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PBSS5560PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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PBSS5560PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5560PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
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| PBSS5560PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5A; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Case: DFN2020-3; SOT1061 Kind of package: reel; tape Frequency: 90MHz Collector current: 5A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 90...265 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PBSS5560PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5A; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Case: DFN2020-3; SOT1061 Kind of package: reel; tape Frequency: 90MHz Collector current: 5A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 90...265 |
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