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PDTB113ZT,215

PDTB113ZT,215 NEXPERIA

PDTB113ZT.pdf Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1040+0.069 EUR
1160+ 0.062 EUR
1600+ 0.045 EUR
1680+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1040
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Technische Details PDTB113ZT,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTB113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Dauer-Kollektorstrom Ic: -500, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1, Dauer-Kollektorstrom: 500, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTB113Z Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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PDTB113ZT,215 PDTB113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTB113ZT.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 70
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1040+0.069 EUR
1160+ 0.062 EUR
1600+ 0.045 EUR
1680+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1040
PDTB113ZT,215 PDTB113ZT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTB113ZT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
PDTB113ZT,215 PDTB113ZT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTB113ZT.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 6509 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
35+0.75 EUR
51+ 0.51 EUR
104+ 0.25 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
PDTB113ZT,215 PDTB113ZT,215 Hersteller : Nexperia PDTB113ZT-2938117.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTB113ZT/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 32541 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
70+0.75 EUR
86+ 0.61 EUR
163+ 0.32 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.094 EUR
9000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 70
PDTB113ZT,215 PDTB113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA 3154503.pdf Description: NEXPERIA - PDTB113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Dauer-Kollektorstrom Ic: -500
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB113Z Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)