PDTB123ET,215 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
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Technische Details PDTB123ET,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412900, Dauer-Kollektorstrom Ic: -500, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 500, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTB123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PDTB123ET,215 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PDTB123ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PDTB123ET/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 7857 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PDTB123ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTB123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Dauer-Kollektorstrom Ic: -500 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Dauer-Kollektorstrom: 500 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTB123ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTB123ET,215 Produktcode: 173860 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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PDTB123ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
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PDTB123ET,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
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PDTB123ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ |
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