PDTC123EMB,315 NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PDTC123EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-883B
Bauform - HF-Transistor: SOT-883B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTC123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details PDTC123EMB,315 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC123EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN, Bauform - Transistor: SOT-883B, Bauform - HF-Transistor: SOT-883B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTC123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PDTC123EMB,315
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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PDTC123EMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC123EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: SOT-883B Produktpalette: PDTC123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTC123EMB,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PDTC123EMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
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PDTC123EMB,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 |
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PDTC123EMB,315 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTC123EMB/SOT883B/XQFN3 |
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