Produkte > NEXPERIA > PDTD113ZT,215
PDTD113ZT,215

PDTD113ZT,215 Nexperia


pdtd113zt.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.056 EUR
9000+ 0.038 EUR
24000+ 0.036 EUR
45000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PDTD113ZT,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Weitere Produktangebote PDTD113ZT,215 nach Preis ab 0.031 EUR bis 0.78 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTD113ZT.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 3160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.072 EUR
1120+ 0.065 EUR
1520+ 0.047 EUR
1620+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA PDTD113ZT.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 3160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.072 EUR
1120+ 0.065 EUR
1520+ 0.047 EUR
1620+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1155+0.13 EUR
1180+ 0.12 EUR
1965+ 0.07 EUR
3368+ 0.039 EUR
6000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1155
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD113ZT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
366+0.42 EUR
532+ 0.28 EUR
537+ 0.27 EUR
1167+ 0.12 EUR
1178+ 0.11 EUR
1985+ 0.061 EUR
3368+ 0.036 EUR
6000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 366
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia PDTD113ZT-1539701.pdf Digital Transistors PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 9526 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
70+0.75 EUR
103+ 0.51 EUR
236+ 0.22 EUR
1000+ 0.13 EUR
3000+ 0.099 EUR
9000+ 0.078 EUR
24000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 70
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PDTD113ZT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 37075 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
34+0.78 EUR
49+ 0.54 EUR
100+ 0.26 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA 390202.pdf Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA 390202.pdf Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : NEXPERIA pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PDTD113ZT,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PDTD113ZT.pdf Транзистор цифровий; Тип стр. = NPN; Ic = 500 мА; hFE = 70 @ 50 мA, 5 В; Icutoff-max = 500 нА; R1, кОм = 1; R2, кОм = 10; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА; Uсe, B = 50; Р, Вт = 0,25; Тексп, °C = -65...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
89+0.076 EUR
95+ 0.066 EUR
103+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 89
PDTD113ZT,215 PDTD113ZT,215 Hersteller : Nexperia pdtd113zt.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar