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PEMH10,115

PEMH10,115 Nexperia


PEMH10-3081726.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - Pre-Biased NRND for Automotive Applications PEMH10/SOT666/SOT6
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Technische Details PEMH10,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PEMH10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PEMH10,115 PEMH10,115 Hersteller : NEXPERIA 2341399.pdf Description: NEXPERIA - PEMH10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6 Pins
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
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PEMH10,115 PEMH10,115 Hersteller : NEXPERIA 2341399.pdf Description: NEXPERIA - PEMH10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
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Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-666
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PEMH10,115 Hersteller : NXP PEMH10_PUMH10.pdf 2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 2.2k+47k PEMH10,115 PEMH10 TPEMH10
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
250+0.14 EUR
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PEMH10,115 Hersteller : NEXPERIA PEMH10_PUMH10.pdf PEMH10.115 NPN SMD transistors
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PEMH10,115 PEMH10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PEMH10_PUMH10.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
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PEMH10,115 PEMH10,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PEMH10_PUMH10.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
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