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PEMH9,115

PEMH9,115 Nexperia

PEMH9-3081384.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - Pre-Biased NRND for Automotive Applications PEMH9/SOT666/SOT6
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Technische Details PEMH9,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PEMH9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

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PEMH9,115 PEMH9,115 Hersteller : NEXPERIA PIRSS12922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PEMH9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
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Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
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PEMH9,115 PEMH9,115 Hersteller : NEXPERIA PIRSS12922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PEMH9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
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PEMH9,115 Hersteller : NEXPERIA PEMH9_PIMH9_PUMH9.pdf PEMH9.115 NPN SMD transistors
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PEMH9,115 PEMH9,115 Hersteller : NEXPERIA 2979pemh9_pimh9_pumh9.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PEMH9,115 PEMH9,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PEMH9_PIMH9_PUMH9.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
PEMH9,115 PEMH9,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PEMH9_PIMH9_PUMH9.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
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