PHB27NQ10T,118 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 800+ | 1.89 EUR |
| 1600+ | 1.54 EUR |
| 2400+ | 1.45 EUR |
| 5600+ | 1.38 EUR |
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Technische Details PHB27NQ10T,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PHB27NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Weitere Produktangebote PHB27NQ10T,118 nach Preis ab 1.4 EUR bis 3.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PHB27NQ10T,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PHB27NQ10T/SOT404/D2PAK |
auf Bestellung 8358 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PHB27NQ10T,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7068 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PHB27NQ10T,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHB27NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PHB27NQ10T,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHB27NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PHB27NQ10T,118 |
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auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PHB27NQ10T,118 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PHB27NQ10T,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PHB27NQ10T,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 112A; 107W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; SOT404 On-state resistance: 50mΩ Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 107W Gate charge: 30nC Polarisation: unipolar Drain current: 20A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| PHB27NQ10T,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 112A; 107W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; SOT404 On-state resistance: 50mΩ Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 107W Gate charge: 30nC Polarisation: unipolar Drain current: 20A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V |
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