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PHP191NQ06LT,127

PHP191NQ06LT,127 Nexperia USA Inc.


PHP191NQ06LT.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7665 pF @ 25 V
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Technische Details PHP191NQ06LT,127 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PHP191NQ06LT,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PHP191NQ06LT,127 PHP191NQ06LT,127 Hersteller : Nexperia PHP191NQ06LT-2938294.pdf MOSFET PHP191NQ06LT/SOT78/SIL3P
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PHP191NQ06LT,127 PHP191NQ06LT,127 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882763-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PHP191NQ06LT,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PHP191NQ06LT,127 PHP191NQ06LT,127 Hersteller : NEXPERIA PHP191NQ06LT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 240A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PHP191NQ06LT,127 PHP191NQ06LT,127 Hersteller : NEXPERIA 269190099093998php191nq06lt.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PHP191NQ06LT,127 PHP191NQ06LT,127 Hersteller : NEXPERIA PHP191NQ06LT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 240A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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