auf Bestellung 63189 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
35+ | 1.5 EUR |
43+ | 1.21 EUR |
100+ | 1.04 EUR |
500+ | 0.95 EUR |
1000+ | 0.85 EUR |
2000+ | 0.83 EUR |
4000+ | 0.8 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PHT6NQ10T,135 Nexperia
Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PHT6NQ10T,135 nach Preis ab 0.83 EUR bis 2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHT6NQ10T,135 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8176 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
PHT6NQ10T,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
PHT6NQ10T,135 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 7437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
PHT6NQ10T,135 | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
PHT6NQ10T,135 | Hersteller : NEXPERIA | PHT6NQ10T.135 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
PHT6NQ10T,135 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |