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PMCM6501VNEZ

PMCM6501VNEZ Nexperia USA Inc.


PMCM6501VNE.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 12V 7.3A 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 6 V
auf Bestellung 65 Stücke:

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Technische Details PMCM6501VNEZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556mW, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PMCM6501VNEZ PMCM6501VNEZ Hersteller : NEXPERIA PMCM6501VNE.pdf Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556mW
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMCM6501VNEZ PMCM6501VNEZ Hersteller : NEXPERIA PMCM6501VNE.pdf Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556mW
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMCM6501VNEZ Hersteller : NEXPERIA PMCM6501VNE.pdf Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2036138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PMCM6501VNEZ Hersteller : NEXPERIA PMCM6501VNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 12V; 4.6A; Idm: 29A; WLCSP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 29A
Case: WLCSP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
PMCM6501VNEZ PMCM6501VNEZ Hersteller : NEXPERIA 4380600795192788pmcm6501vne.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 9.6A 6-Pin WLCSP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
PMCM6501VNEZ PMCM6501VNEZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PMCM6501VNE.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 7.3A 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
PMCM6501VNEZ PMCM6501VNEZ Hersteller : Nexperia PMCM6501VNE-2938619.pdf MOSFET PMCM6501VNE/NAX000/NONE
Produkt ist nicht verfügbar
PMCM6501VNEZ Hersteller : NEXPERIA PMCM6501VNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 12V; 4.6A; Idm: 29A; WLCSP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 29A
Case: WLCSP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar